热门文章
随机文章
bet5365亚洲版

主页 > bet5365亚洲版 >

BJT(1)Nf用于模拟电路设计。

文章来源:admin 更新时间:2019-02-10 23:15

在这几篇文章中,笔者想介绍一些参数来包括BJT设计(图纸和方程这篇文章是由(德尔菲丹尼尔斯)衍生的很大一部分)时予以考虑。采用了CMOS技术,米歇尔AP Pertijs和约翰·H·哈杰辛,2006年以来,施普林格人,邮政信箱17,3300 AA多德雷赫特,荷兰在这本书的内容,作者试图不重复全文,他自己它正在给予。模拟结果BJT最着名的表达方式:
是不是那么复杂,但目前的BJT公式似乎很容易!遗憾的是,事情往往与我们的不同。
更糟糕的是,它仍然与温度有关。
因此,我们通常关心的最完整的VBE表达式实际上是:
Tr是参考温度。
让我们看一下前一个过程(110 nm),pnp参数。
根据作者的经验,nf(以前的正式η)是一个事实吗?)这是一个需要考虑的参数。
例如,在先前的理想模型中,必须选择几个值。的BJT(米)多重性:即,如果只有标准PNP是可用的,或者需要多个PNP的并联连接?好吧,这一次,我将通过输入nf 1)来操作。125 nA。接下来,通过改变m的值和扫描温度,
(请参见下页,你VTH,可以绘制参数,如通用汽车公司(笔者经常这样做时,他是执行带间隔,他是测试版,为Nf个你可以得到参数):
如何节省CC工作点:一次性切换MOSFET的参数
例如,在该温度范围内,米你可以看到,绿线24清楚地表示NF的最大变化宽度()。结果,该电压非常线性。
在需要宽带或其他温度的设计中,它通常被视为非常准确的数量。如果不准确,世界将非常沮丧......
因此,由于m = 24是不可接受的,这是正确的吗?背景4?还有红色1吗?嗯,它看起来比24好多了。
2)除温度外,nf的影响因子也是ib的选择。
代通常需要两个相同的PNP,然后不同的极化电流(或相同的极化电流,不同米)加入,然后横扫极化电流之后。
假设ib是125nA,N是4,也就是说,另一个PNP的极化电流是500nA。
(X轴IB,y轴NF,扫IB是为10uA从1 NA,2条垂直线:125nA和500nA的)
显然,当m等于4或6,125nA和500nA的位于波形的底部,当m是24,125nA和500nA的略小两者。也许ib增加到1 uA,m是24。
3)除温度和ib外,还有其他影响nf的值。这是流程的一个角落。好吧,我会更多地运行模拟。无论如何,无论如何都使用ADEXL很方便~~
拐角温度(X轴)
拐角偏差电流(x轴)请仔细查看前两个图表。第一个图是不同角落的相应温度nf的曲线。第二个曲线图是不同角落的相应极化电流nf的曲线。nf是最小,高加速过程是不准确的,SF和FS下NF跳蚤重合...下面仔细看所示,对应谷底对应于170NA 1B,快647nA并且nom对应于353 nA。?好吧,提供这个bjt非常困难!但有好消息:?常见名称在底部采用ib值,其他角落几乎在旁边!
作者:宇文链接清霜:https://开头zhuanlan.zhihu.com/p/23187995来源:本文内容严禁未经由几乎接近原作者的原著作权保护的许可,复制,不得转载。请联系作者批准。
公共微信号:analogIC_gossip

上一篇:没有了

下一篇:[Bolgi Wilderness]抑郁草

bet博体育